Биполярный транзистор KTD2092 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTD2092
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: ISO220
KTD2092 Datasheet (PDF)
SEMICONDUCTOR KTD2092 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. A C DIM MILLIMETERS S FEATURES _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E High hFE : hFE=500 1500 (IC=0.5A). C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 Low Collector Saturation :VCE(sat)=0.35V(Max.) (IC=1A). _ E Φ3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.
5.1. ktd2017.pdf Size:46K _update_mosfet
SMD Type IC SMD Type IC N-Channel Silicon MOSFET KTD2017 TSSOP-8 Unit: mm Features Low ON resistance. 2.5V drive. Mounting height 1.1mm Composite type, facilitating high-density mounting. 5: Gate2 1: Drain1 6 : Source2 2 : Source1 7 : Source2 3 : Source1 8: Drain2 4: Gate1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-
5.2. ktd2005.pdf Size:47K _update_mosfet
SMD Type IC SMD Type IC Ultrahigh-Speed Switching Applications KTD2005 TSSOP-8 Unit: mm Features Low ON resistance. 2.5V drive. Mounting height 1.1mm. Composite type, facilitating high-density mounting. 5: Gate2 1: Drain1 6 : Source2 2 : Source1 7 : Source2 3 : Source1 8: Drain2 4: Gate1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-to-Source Voltage V
SEMICONDUCTOR KTD2066 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. LAMP SOLENO >5.4. ktd2058.pdf Size:40K _kec
SEMICONDUCTOR KTD2058 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. A C FEATURES DIM MILLIMETERS S ·Low Saturation Voltage _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E : VCE(sat)=1.0V(Max.) at IC=2A, IB=0.2A. C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 ·Complementary to KTB1366. _ E Φ3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 13.6 0.5
SEMICONDUCTOR KTD2060 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. A C FEATURES DIM MILLIMETERS S Good Linearity of hFE. _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E Complementary to KTB1368. C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 _ E Φ3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 13.6 0.5 L L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) R K _ 3.7 0.
SEMICONDUCTOR KTD2059 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. A C FEATURES DIM MILLIMETERS S Complementary to KTB1367. _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 _ E Φ3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 13.6 0.5 L L CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT R
SEMICONDUCTOR KTD2061 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE APPLICATION TV, MONITOR VERTICAL OUTPUT APPLICATION A C DRIVER STAGE APPLICATION DIM MILLIMETERS S COROR TV >5.8. ktd2058.pdf Size:198K _lge
KTD2058(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOTR 3. EMITTER 3 2 1 Features Low Collector Saturation Voltage : VCE(SAT) = 1. 0V(MAX) . Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC C
Биполярный транзистор KTD2092 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTD2092
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: ISO220
KTD2092 Datasheet (PDF)
SEMICONDUCTOR KTD2092 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. A C DIM MILLIMETERS S FEATURES _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E High hFE : hFE=500 1500 (IC=0.5A). C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 Low Collector Saturation :VCE(sat)=0.35V(Max.) (IC=1A). _ E Φ3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.
5.1. ktd2017.pdf Size:46K _update_mosfet
SMD Type IC SMD Type IC N-Channel Silicon MOSFET KTD2017 TSSOP-8 Unit: mm Features Low ON resistance. 2.5V drive. Mounting height 1.1mm Composite type, facilitating high-density mounting. 5: Gate2 1: Drain1 6 : Source2 2 : Source1 7 : Source2 3 : Source1 8: Drain2 4: Gate1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-
5.2. ktd2005.pdf Size:47K _update_mosfet
SMD Type IC SMD Type IC Ultrahigh-Speed Switching Applications KTD2005 TSSOP-8 Unit: mm Features Low ON resistance. 2.5V drive. Mounting height 1.1mm. Composite type, facilitating high-density mounting. 5: Gate2 1: Drain1 6 : Source2 2 : Source1 7 : Source2 3 : Source1 8: Drain2 4: Gate1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-to-Source Voltage V
SEMICONDUCTOR KTD2066 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. LAMP SOLENO >5.4. ktd2058.pdf Size:40K _kec
SEMICONDUCTOR KTD2058 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. A C FEATURES DIM MILLIMETERS S ·Low Saturation Voltage _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E : VCE(sat)=1.0V(Max.) at IC=2A, IB=0.2A. C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 ·Complementary to KTB1366. _ E Φ3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 13.6 0.5
SEMICONDUCTOR KTD2060 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. A C FEATURES DIM MILLIMETERS S Good Linearity of hFE. _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E Complementary to KTB1368. C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 _ E Φ3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 13.6 0.5 L L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) R K _ 3.7 0.
SEMICONDUCTOR KTD2059 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. A C FEATURES DIM MILLIMETERS S Complementary to KTB1367. _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 _ E Φ3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 13.6 0.5 L L CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT R
SEMICONDUCTOR KTD2061 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE APPLICATION TV, MONITOR VERTICAL OUTPUT APPLICATION A C DRIVER STAGE APPLICATION DIM MILLIMETERS S COROR TV >5.8. ktd2058.pdf Size:198K _lge
KTD2058(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOTR 3. EMITTER 3 2 1 Features Low Collector Saturation Voltage : VCE(SAT) = 1. 0V(MAX) . Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC C
Замена транзистора 2SC3852
Замена 2SC3852 на отечественный аналог. Довольно часто при ремонте блоков питания телевизоров на микросхемах STR-S6707 (например телевизоры LG, Goldstar) вместе с заменой микросхемы STR-S6707 возникает необходимость замены транзистора 2SC3852 или KSD2092.
Аналогом 2SC3852 и KSD2092, является наш отечественный транзистор КТ829А .
Даташит на 2SC3852 
При этом никаких переделок на плате делать не приходится, впаивается вместо неисправного. Единственное на что следует обратить внимание при замене транзистора 2SC3852, он в изолированном корпусе, а транзистор КТ829А – нет. Проверьте радиатор к которому крепится 2SC3852, если он имеет соединение с шиной (минусом), то необходимо поставить изолирующую прокладку.