Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Корпус транзистора KSC5027 и его обозначение на схеме
Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный транзистор для использования в промышленном оборудовании.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1100 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттера-база | — | — | — | 7 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 3,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 10,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 1,5 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 800 В, Ie = 0 В | — | — | 10 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 10 | мкА |
| Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,2 А | 10 | — | 40 | ||
| Vce = 5 В, Ic = 1,0 А | 8 | — | — | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А | — | — | 2 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А | — | — | 1,5 | В |
| tON | Время включения | Ic = 0,3 А, Ib = 0,06 А | — | — | 0,5 | мкс |
| fT | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 10 В, Ic = 0,2 А | — | 15 | — | МГц |
| Tf | Время спада импульса | RI = 200 Ом | — | — | 0,3 | мкс |
| N | O | |||||
| 10 20 | 20 40 |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Биполярный транзистор KSC5027 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC5027
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220
KSC5027 Datasheet (PDF)
1.1. ksc5027.pdf Size:53K _fairchild_semi
KSC5027 High Voltage and High Reliability � High Speed Switching � W >1.2. ksc5027.pdf Size:24K _samsung
KSC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter C
1.3. ksc5027f.pdf Size:74K _samsung
KSC5027F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F W >1.4. ksc5027.pdf Size:88K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·High voltage and high reliability ·High speed switching ·W >
Форум по AVR
кремниевый высоковольтный транзистор N-P-N проводимости.
Применяется в высоковольтных коммутаторах и генераторах.
c5027 Имеет высокую скорость переключения.
Цоколевка транзистора c5027:
Параметры тразистора 2SC5027:
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 35
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220
Маркировки транзистора других производителей
2SC5027 (Toshiba)
KSC5027 (Fairchild)
Чем заменить c5027?
KSC5027F, 2SC3866, 2SC5353, BUT11A, C5027-R, C5027F-R
Скачать C5027 datasheet 