1 rank 8 banks что это
Автор STRANGE 271 задал вопрос в разделе Железо
Что такое в оперативе 1 rank 8 banks? У меня 2 модуля по 4 гб на одном 1 rank 8 banks, а на другом 2 rank 8 banks и получил лучший ответ
Ответ от St_x128[гуру]
1 ранк — вся память модуля доступна за раз
2 ранка — в один момент времени доступна только половина модуля. для выбора другой половины надо переключить ранки.
т. е у одноранковой и двухранковой разное управление адресацией.
конечно желательно иметь модули одинаковой архитектуры, но современные контроллеры памяти с такой «кривизной» справляются.
если у вас нормально доступны 8ГБ, то и не заморачивайтесь.
Это один комплект из идентичных модулей? или это два
подробнее.
Ребят, у меня материнка Pegatron H81-P1, проц DualCore Intel Core i3-4130.
Свойства одной плашки.
Имя модуля BKH400SO51208-1600
Серийный номер 03000000h (3)
Дата выпуска Неделя 37 / 2014
Размер модуля 4 ГБ (1 rank, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1600 (800 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
@ 800 МГц 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-R TP-FAW)
1. Ширина шины данных простых модулей составляет 64 бита. Обычно используются микросхемы разрядностью 4, 8 или 16 бит. Таким образом, для получения общей разрядности 64 бита, потребуется набор из 16, 8 или 4 микросхем соответственно. Каждый такой набор микросхем объединяется в физический банк. В одном модуле может быть размещено несколько физических банков. В случае простых (unbuffered) модулей каждая сторона модуля с микросхемами соответствует одному физическому банку, т. е. понятия однобанковый/двухбанковый модуль соответствуют понятиям односторонний/двухсторонний модуль.
При использовании модулей с ECC разрядность шины данных будет 72 бита, дополнительные 8 бит потребуются для реализации упомянутой ЕСС.
2. Логические банки организованы внутри микросхем памяти, т. е. осуществляется разбиение массива данных. Для различных типов памяти число банков строго оговаривается в спецификациях.
В частности, для DDR число банков составляет 4. Микросхемы DDR2 содержат по 4 логических банка при плотности чипов 256Mb и 512Mb и 8 банков при плотности чипов 1Gb и выше.
1. Ширина шины данных простых модулей составляет 64 бита. Обычно используются микросхемы разрядностью 4, 8 или 16 бит. Таким образом, для получения общей разрядности 64 бита, потребуется набор из 16, 8 или 4 микросхем соответственно. Каждый такой набор микросхем объединяется в физический банк. В одном модуле может быть размещено несколько физических банков. В случае простых (unbuffered) модулей каждая сторона модуля с микросхемами соответствует одному физическому банку, т. е. понятия однобанковый/двухбанковый модуль соответствуют понятиям односторонний/двухсторонний модуль.
При использовании модулей с ECC разрядность шины данных будет 72 бита, дополнительные 8 бит потребуются для реализации упомянутой ЕСС.